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설명
X-선 반도체장치 X-선 Metal Film 측정 장치 MFM65
· 특징
X-선 Metal Film 측정 장치
- multi layer film stacks의 thickness,
- density interfacial roughness 측정
- 0.13μm process technologies
- multi layer parabolic mirror
- high x-ray intensity : 10E8cps
- 200mm, 300mm, wafer 측정 가능
- crystallinity와 preferred orientation 평가
· 상세 정보
Process Wafer 공정을 위한 X-선 반사율(XRR), 형광 X-선(XRF) 및 X-선 회절(XRD)에 의한 In-line 막질 특성 평가 설비이다. 마이크로 X-선 사용 및 패턴 인식 기능을 탑재해, 패턴 웨이퍼의 특정 부위 및 테스트 웨이퍼상의 미소 영역을 측정, 박막 또는 후막의 두께, 밀도, 거칠기 등을 측정합니다.
· 제품 특징
· 특징
X-선 Metal Film 측정 장치
- multi layer film stacks의 thickness,
- density interfacial roughness 측정
- 0.13μm process technologies
- multi layer parabolic mirror
- high x-ray intensity : 10E8cps
- 200mm, 300mm, wafer 측정 가능
- crystallinity와 preferred orientation 평가
· 상세 정보
Process Wafer 공정을 위한 X-선 반사율(XRR), 형광 X-선(XRF) 및 X-선 회절(XRD)에 의한 In-line 막질 특성 평가 설비이다. 마이크로 X-선 사용 및 패턴 인식 기능을 탑재해, 패턴 웨이퍼의 특정 부위 및 테스트 웨이퍼상의 미소 영역을 측정, 박막 또는 후막의 두께, 밀도, 거칠기 등을 측정합니다.
· 제품 특징
-
Process wafer를 높은 throughput으로 측정
박막의 두께와 밀도를, 대기중에서비접촉으로 빠른 throughput(1 - 20WPH)으로 측정합니다. 테스트 웨이퍼가 필요없습니다. -
패턴 인식 기능 탑재
Process wafer상에서 100um 이하의 미세 패턴상에서, 임의의 측정 위치를 설정 가능합니다. -
고 정밀도와 높은 throughput
10-8까지의 Dynamic range를 가지는 고속검출기(APD)를 탑재, Micro-XRR, Micro-XRF 모두고정밀도 측정과 높은 throughput의 측정을 가능하게 했습니다. -
낮은 도입 코스트, 낮은 런닝코스트(Running Cost)를 실현
전력 절약형 X-선관 COLORS, COLORS-i를 채용, 저전력 소비 및 낮은 유지비용에 의해, 연간 런닝코스트(Running Cost)를 최소화 했습니다. -
웨이퍼면의 분포 평가
200mm, 300mm 웨이퍼를 4축시료대에 수평 지지해, 웨이퍼 Edge까지의 전면 자동 매핑 측정에 대응합니다. -
어플리케이션
FEOL: CoSix, NiSix, SiGe, High-k막질, Al 등
BEOL: Barrier metal, Ta/TaN, Ti/TiN, Cu seed, Cu 도금 등에도 광범위한 막의 재질, 막의 두께를 측정할 수 있습니다.
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X-선 반도체장치 X-선 Metal Film 측정 장치 MFM65
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